IS61WV5128BLL-10TLI SRAM 4Mb (512k x 8) 10ns Async SRAM 3.3v Integrated Circuits IC's

IS61WV5128BLL-10TLI SRAM 4Mb (512k x 8) 10ns Async SRAM 3.3v

Beschrijving
De ISSI IS61WV5128Axx en IS61/64WV5128Bxx
zijn zeer snel, laag vermogen, 524.288 woorden door
De IS61 WV5128Axx en
IS61/64WV5128Bxx zijn vervaardigd met behulp van ISST's hoge-
Deze zeer betrouwbare pro-
De Commissie heeft in de loop van de loop van het jaar een verslag uitgebracht over de resultaten van de onderzoeksprocedure.
levert hogere prestaties en een laag stroomverbruik op
apparaten.
Wanneer CE HIGH is (niet geselecteerd), gaat het apparaat ervan uit dat
een standby-modus waarbij de vermogensafvoer
verminderd met CMOS-invoerniveaus.
De IS61WV5128Axx en IS61/64WV5128Bxx werken
van één enkele voedingsbron.
De IS61WV51 28ALL en de IS61/64WV5128BLL zijn beschikbaar voor:
in 36-pin 400-mil SOJ, 36-pin mini BGA en 44-pin
TSOP-pakketten (type I).
De IS61WV5128ALS en IS6 1/64WV5128BLS zijn
beschikbaar in 32-pin sTSOP (type I), 32-pin sTSOP (type l),
32-pin SOP en 32-pin TSOP (type I1) pakketten.

GESCHIEDENIS
Hoge snelheid: (IS61/64WV5128ALLBLL)
●Toegangstijd met hoge snelheid:8, 10, 20 ns
●Laag actief vermogen: 85 mW (typisch)
●Laag stand-by vermogen: 7 mW (typisch)
CMOS-standby
Vervaardiging van elektrische apparatuur
●Toegangstijd met hoge snelheid: 25, 35 ns
●Laag actief vermogen: 35 mW (typisch)
●Laag stand-by vermogen: 0,6 mW (typisch)
CMOS-standby
●Een enkele voedingsbron
- Voo 1,65 V tot 2,2 V (IS61 WV5128Axx)
- VoD 2,4 V tot 3,6 V (IS61/64WV5128Bxx)
● Volledig statische werking: geen klok of vernieuwing
vereist
●Drie-staat-outputs
●Temperatuurondersteuning voor industriële en automobielindustrie
●loodvrij verkrijgbaar

De IS61WV5128BLL-10TLI is een specifiek onderdeelnummer voor een geheugenapparaat.

een statisch geheugen met willekeurige toegang (SRAM-module) vervaardigd door Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI).

Hier is wat informatie over dit specifieke geheugenapparaat:

• Geheugencapaciteit: 128 megabits (Mb) of 16 megabytes (MB)
• Geheugentype: asynchrone SRAM
• Toegangstijd: 10 ns (nanoseconden)
• Organisatie: 4 banken x 4.096 rijen x 2.048 kolommen
• Pakkettype: 44-pin TSOP (Thin Small-Outline Package)
• Temperatuurbereik: industrieel (-40°C tot +85°C)
• Spanningsvoorziening: De IS61WV5128BLL-10TLI werkt met een spanningsvoorziening van 2,7 V tot 3,6 V.
• Dichtheid: Het geheugenapparaat heeft een dichtheid van 128 megabits (Mb), wat overeenkomt met 16 megabytes (MB).
• Toegangstijd: De toegangstijd specificeert de snelheid waarmee gegevens uit het geheugen kunnen worden gelezen of geschreven.
• In dit geval bedraagt de toegangstijd 10 nanoseconden (ns), wat wijst op een relatief snelle werking.
• Organisatie: het geheugen is georganiseerd in 4 banken, waarbij elke bank uit 4.096 rijen en 2.048 kolommen bestaat.
• Deze organisatie maakt het mogelijk om gegevens efficiënt op te slaan en op te halen.
• Pakkettype: de IS61WV5128BLL-10TLI is verkrijgbaar in een 44-pin TSOP (Thin Small-Outline Package) vormfactor.
• Dit pakket wordt gewoonlijk gebruikt voor geïntegreerde schakelingen en biedt een compact ontwerp voor een gemakkelijke integratie in
• elektronische systemen.
• Temperatuurbereik: het geheugen is ontworpen om te werken binnen een industrieel temperatuurbereik van -40 °C tot +85 °C.
• Dit brede temperatuurbereik maakt een betrouwbare werking in verschillende omgevingen mogelijk.