ISL6625ACRZ-T Half-Bridge Gate Driver IC Niet-omkeerbare 8-DFN (2x2)
ISL6625ACRZ-T Half-Bridge Gate Driver IC Niet-omkeerbare 8-DFN (2x2)
| Renesas Electronics | |
| Productcategorie: | Draaiers van hekken |
| RoHS: | Detail |
| MOSFET-poortbestuurders | |
| De hoge kant, de lage kant | |
| SMD/SMT | |
| 2 Bestuurder | |
| 2 Output | |
| 20 mA | |
| 5.5 V | |
| 13.2 V | |
| 31 ns | |
| 18 ns | |
| 0 C | |
| + 70 °C | |
| ISL6625A | |
| Reel | |
| Snijdband | |
| Merk: | Renesas / Intersil |
| Hoogte: | 0.9 mm |
| Lange: | 2 mm |
| Vochtgevoelig: | - Ja, dat klopt. |
| Productsoort: | Draaiers van hekken |
| Subcategorie: | PMIC's - IC's voor energiebeheer |
| Technologie: | - Jawel. |
| Breedte: | 2 mm |
| Eenheidsgewicht: | 0.000388 oz. |
De ISL6625A is een hoogfrequente MOSFET-driver die is ontworpen om het N-kanaal met hogere en lagere vermogen te bedienen.
In ISL6625A zijn de bovenste en onderste poorten
Dit biedt de mogelijkheid om toepassingen te optimaliseren waarbij
Een geavanceerde adaptieve doorstralingsbescherming is
De MOSFET-systemen zijn geïntegreerd om te voorkomen dat zowel de bovenste als de onderste MOSFETs tegelijkertijd geleid worden en om de
De ISL6625A heeft een 10kΩ geïntegreerde gate-to-source-weerstand aan de bovenkant om te voorkomen dat het door een
Deze driver is ook voorzien van een overspanningsbeschermingsfunctie die werkt wanneer VCC wordt gebruikt.
De PHASEnode is verbonden met de poort van het MOSFET (LGATE) aan de onderzijde via
een weerstand van 30 kΩ, die de uitgangsspanning van de omvormer beperkt tot de drempel van de poortschot van het MOSFET aan de lage kant.
Dit is afhankelijk van het feit dat de stroom wordt gesunt, wat de belasting een zekere bescherming biedt indien de bovenste
MOSFET's worden verkort.
Toepassingen
• Spanningsregulatoren met een hoge lichtefficiëntie
• Kernregulatoren voor geavanceerde microprocessors
• Hoogstroomconverters DC/DC
Kenmerken
• Dual MOSFET-aandrijvingen voor synchrone rechtgezette brug
• Geavanceerde adaptieve nul-shoot-through-bescherming-FASE-detectie-LGATE-detectie-Auto-Nul van rDS ((ON) geleidingsverschuivingseffect
• lage standby bias stroom
• 36V interne bootstrap-switcher
• Voorkoming van overlading van bootstrapcondensatoren
• Geïntegreerde gate-to-source-weerstand aan de hoge zijkant om te voorkomen dat de bus zich zelf aanzet als gevolg van een hoge inputdV/dt
• Pre-POR-overspanningsbescherming voor start en stop
• Onderspanningsbescherming van stroomrails
• Uitbreidbare koperen bodem voor een betere warmteafvoer
• Dual flat lead-free (DFN) pakket- bijna chip-schaal pakket voetafdruk; verbetert PCB-efficiëntie en dunner profiel• Pb-vrij (RoHS-conform)
